晶體管參數測試儀界麵操作

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晶體(ti) 管參數測試儀(yi) 型號：JFY3022A

JFY3022A晶體(ti) 管參數測試儀(yi) 詳細介紹
※概述:
JFY3022A晶體(ti) 管參數測試儀(yi) ，是一種**門用於(yu) 各種電子元件參數測試的新型多功能測試裝置。該機采用大規模MCU設計,中文界麵操作,大容量內(nei) 存,可存2000種元件參數設置數據.儀(yi) 器外型美觀、性能穩定、測量準確、操作簡單、使用安全方便,適用電子產(chan) 品生產(chan) 廠家或電子元件供應商來料檢測。
※ 測量元件類型:
N型三*管,P型三*管,N型MOS場效應管,P型MOS場效應管N型結型場效應管,正負三端穩壓IC,三端肖特基,基準器431,整流二*管,整流橋堆，可控矽，穩壓二*管.
※ 測量參數:
■ 整流二*管,三端肖特基，整流橋堆:

參數項	測試參數	測試條件設置
正向壓降(VF)	0-2.000V	0-2.000A
耐壓(VRR)	0-1500V	0-2.000MA

■N型三*管:

參數項	測試參數	測試條件設置
輸入正向壓降(VBE)	0-2.000V	0-2.000A
耐壓(BVCEO)	0-1500V	0-2.000MA
放大倍數(HEF)	0-3000	VCE:0-20V IC:0-2.000A
飽和壓降(Vsat)	0-2.000V	IB:0-2.00A IC:0-2.00A

■P型三*管:

參數項	測試參數	測試條件設置
輸入正向壓降(VBE)	0-2.000V	0-2.000A
耐壓(BVCEO)	0-1500V	0-2.000MA
放大倍數(HEF)	0-3000	VCE:5.0V IB:100uA
飽和壓降(Vsat)	0-2.000V	IB:0-2.00A IC:0-2.00A

N,P型MOS場效應管:

參數項	測試參數	測試條件設置
啟動電壓(VGS(th))	0-20.00V	0-2.000mA
耐壓(BVCEO)	0-1500V	0-2.000mA
導通內(nei) 阻(Rson)	0.1Mr-200R	Vgs:0-20V Id:0-2.000A

單雙向可控矽:

參數項	測試參數	測試條件設置
觸發電流(IGT)	0-40.MA	VD=0-20V,ID=0-2.000A
觸發電壓(VGT)	0-2.000V	VD=0-20V,ID=0-2.000A
耐壓(VDRM VRRM)	0-1500V	0-2.000mA
通態壓降(VTM)	0-2.000V	IT:0-2.00A

三端穩壓IC:

參數項	測試參數	測試條件設置
輸出電壓(Vo)	0-20.00V	Vin:0-20V Io:0-2.00A

基準IC 431:

參數項	測試參數	測試條件設置
輸出電壓(Vo)	0-20.00V	IZ:0-200mA

■ 穩壓二*管:

參數項	測試參數	測試條件設置
穩壓值(VZ)	0-20V	0-100MA
穩壓值(VZ)	20-200V	0-2.000MA

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