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模擬靜電場描繪儀(yi) 型號：GVZ-4
技術參數：
1. GVZ-4型為(wei) 箱體(ti) 和電源分離式，單筆測試,內(nei) 置四種電極
（同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形）。
2.規格為(wei) 420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電極印有坐標格規格為(wei) 1mm.
4.微晶導電層的均勻性，實驗值誤差為(wei) 小於(yu) 2%。
5.電源輸出範圍（直流）為(wei) 7.00v—13.00V，分辨率為(wei) 0.01V (配三位半數碼管)。
6.采用多圈電位器調節電壓，調節細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬(wan) 次，膜層電阻阻值變化0.3%，對導電微晶無磨損。
技術參數：
1. GVZ-4型為(wei) 箱體(ti) 和電源分離式，單筆測試,內(nei) 置四種電極
（同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形）。
2.規格為(wei) 420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電極印有坐標格規格為(wei) 1mm.
4.微晶導電層的均勻性，實驗值誤差為(wei) 小於(yu) 2%。
5.電源輸出範圍（直流）為(wei) 7.00v—13.00V，分辨率為(wei) 0.01V (配三位半數碼管)。
6.采用多圈電位器調節電壓，調節細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬(wan) 次，膜層電阻阻值變化0.3%，對導電微晶無磨損。
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