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KDB-2B為(wei) 四探針法測量金屬薄膜的方塊電阻,該方法操作簡單,測量。
儀(yi) 器特點如下:
1、配有雙數字表:一塊數字表在測量顯示矽片電阻率的同時,另一塊數字表(以萬(wan) 分之幾的精度)適時監測全過程中的電流變化,使操作更簡便,測量更。
數字電壓表量程:0—19.999mV 靈敏度:1μV 輸入阻抗:1000ΜΩ
基本誤差±(0.04-0.05%讀數+0.01%滿度) ;
2、方塊電阻測量範圍:1×10-5~1.9Ω/□;
3、電流量程分兩(liang) 檔:100mA和1000mA。